众所周知，未来的社会必然是智能的时代，而要实现智能化，就需要先进的芯片，而要有先进的芯片，离不开先进的光刻机，而先进光刻机恰恰是我国要攻克的技术难点。就在近日，工信部发布了2024年版的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》，其中就包括了两款新型国产光刻机，分别是使用248nm光源、分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm的Krf光刻机和使用193nm光源、分辨率≤65nm、套刻精度≤8nm的ArFi光刻机。
不可否认，两款新型国产光刻机的诞生，的确有利于咱们追赶全球先进光刻机的步伐，但过分夸大，甚至扭曲理解这两款光刻机的性能，也完全不符合咱们提倡的“实事求是”的原则。比如说，在新型国产光刻机问世之后，有人看到“套刻精度≤8nm”，就认为这是8nm的光刻机；还有人强调193nm光源“领先全球”。一时间“正能量谣言”满天飞，那么，咱们最新推出的这两款国产光刻机在全球到底属于什么水平？
在进行比较之前，咱们先要了解一下光刻机是怎么制造芯片的，这样才能了解其性能指标到底“先进”在哪里。简单地说，光刻机制造芯片的过程，就像是以一种极其精细的方式，在一个非常小的画板上画画，而这个“画板”其实就是硅晶圆，“颜料”就是光刻胶，光源就是“画笔”，将涂有光刻胶的硅晶圆放在光刻机里，光刻机将电路模板以纳米精度投影到硅晶圆上，再对其发出特定波长的光，与光刻胶产生反应，最终形成电路。
在这个过程中，光源的波长越短，理论上可以达到更高的分辨率，在同尺寸的硅晶圆上，雕刻出更多的晶体管和电路图案；还能在先进制程中减少曝光次数，简化制造工艺。而套刻精度与大家说的n纳米芯片其实是两码事，前者指的是“光刻层之间的对准精度”，而几纳米芯片指的是芯片制造工艺中的特征尺寸，它主要是由光刻机的分辨率决定的，分辨率≤65纳米的光刻机，其芯片制程大约也就是55-65纳米。
所以，比较咱们这两款新型光刻机，单单从纸面数据看，咱们就可以很明显发现，不管是光源波长、分辨率还是套刻精度，KrF光刻机的指标要明显低于ArFi光刻机，那么，咱们的ArFi光刻机在全球是什么水平？根据新浪财经9月16日的报道，荷兰的阿斯麦公司在2006年推出的DUV光刻机XT，就已经达到了193nm光源波长、57nm分辨率和7nm的套刻精度，从这个角度来说，咱们新推出的光刻机，相当于西方18年前的水平。
更让人感到担忧的是，这款65nm分辨率国产光刻机，可能只是对上海微电子于2018年推出的90nm分辨率国产SSA600光刻机的改良，后者又是为了追赶阿斯麦于上世纪90年代末20世纪初研发的PAS 5500/1150C光刻机。换言之，国产SSA600光刻机落后西方近20年，现在经过6年技术沉淀，咱们推出的改良版ArFi光刻机，依然落后西方18年，如果从这个角度来看，岂不是“追了个寂寞”？差距并没有明显缩小啊。
由此可见，要研发、制造出全球先进的光刻机，这是一件多么困难的事情。吴汉明院士就曾直言不讳地表示，“凭借一国之力，很难制造出EUV光刻机”。中科大研究生院副院长朱士尧也表示，“光刻机不止中国造不出来，美国都造不出来”，“中国未来两年、三年造出个 5 纳米的光刻机来，这件事情非常难”，对于“这样复杂的东西”，我们只能“慢慢的来解决”，它需要“一个国家的综合科学技术”，“非常之复杂”。
当然，难度再大，咱们也必须追赶，哪怕只是缩短了1年、2年的技术差距，也好过远远被西方甩在后头，也好过一直被人卡脖子，相信只要坚持这种“愚公移山”的精神，日积月累地去沉淀微小的技术进步，总有一天会实现“量变到质变”的突破。然而，在这个过程中，咱们需要坚持“实事求是”的原则，正视差距，不能“瞎起哄”，“吹牛皮”，这对咱们的科研攻关没有任何好处，央媒都说了，世上就没有所谓的“正能量”谣言。
热门跟贴