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高效近红外（NIR）有机发射体的开发一直受到“能量间隙定律”所控制的强烈且不可避免的非辐射衰减的严重限制，这导致了较低的发光效率和有限的分子设计选择。

在此，清华大学乔娟等人研究对比了六元和五元π桥，并通过精细的分子工程设计了一种新型的基于苯并[b]噻吩的供体，该供体在构建NIR热活化延迟荧光发射体方面优于广泛使用的三苯胺衍生物。苯并[b]噻吩供体/π桥使新合成的分子tBTAP具有多项优势，包括与无噻吩的三苯胺供体相比更长的发射波长和增强的振子强度，以及与插入噻吩的供体相比抑制了高频振动。因此，tBTAP掺杂和非掺杂薄膜在795 nm和854 nm的峰值波长下显示出纯NIR发射，且具有17.9 ± 0.3%和4.6 ± 0.4%的先进光致发光量子产率。相应的NIR OLEDs展示了创纪录的最大外量子效率，分别为3.64%（796 nm）和1.20%（867 nm） 。

最重要的是，非掺杂器件在10 mA cm−2下表现出超过2150小时的创纪录的长工作寿命（LT97），这是NIR OLEDs的突破。本研究通过设计替代供体/π桥结构，突破了高性能NIR有机发射体和器件开发中的瓶颈，标志着分子工程的一次重大进展，并推动了其在实际应用中的发展。

https://doi.org/10.1002/adfm.202412780

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