金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN 118748200 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开

了一种半导体装置，半导

体装置包括：半导体基

体，其具有第一主面和第

二主面，第一主面和第二

主面在竖直方向上间隔

设置；漂移层，其设置于

第一主面和第二主面之

间；基层，其设置于漂移

层朝向第一主面的一侧；

沟槽，其从第一主面贯穿

基层且到达漂移层中；集电极层，其位于漂移层朝向第二主面

侧缓冲层其位于漂移层和集电极层之间缓冲层中设置

有避让区域；第一浮空层，其设置于避让区域中，且竖直方向的

两侧分别与漂移层和第一集电极层相接触。由此，通过在缓冲

层中设置第一浮空层，可以加快半导体装置进入双极导通，从

而在半导体装置正向导通时可以有效抑制甚至消除电压折回

现象。

本文源自：金融界

作者：情报员