金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，龙源电力集团股份有限公司申请一项名为“一种Mo薄膜及其制备方法和用途”的专利，公开号CN 118773541 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本公开涉及提供一种Mo薄膜的制备方法和用途，包括在沉积室内通入工艺气体，通过设置于沉积室的室壁上的蝴蝶阀控制溅射沉积的沉积气压，使基片在沉积室内进行溅射沉积，以在基片表面形成Mo薄膜。本发明的制备方法实现以较低流量的工艺气体高压溅射制备Mo薄膜，显著降低工艺成本。本发明制备出的Mo薄膜表面均匀，电学性能优良，与其他较高流量工艺气体条件下制备的Mo薄膜相比，在厚度、薄膜均匀性、结晶质量和电学性能上均达到一致。同时，该Mo薄膜在(110)晶面择优生长，可以作为多层Mo膜、CIGS等其他薄膜的优异衬底使用。

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