日前，三星电子透露消息称，已完成24Gb GDDR7 DRAM的开发。按照计划，三星将在今年内完成24Gb GDDR7 DRAM的验证工作，并于明年年初实现商业化。

据了解，三星24Gb GDDR7 DRAM采用了第五代10纳米级DRAM制程技术。与之前的产品相比，其在相同封装尺寸下容量增加了50%。同时，通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，其速度在图形DRAM中达到40Gbps。另外，根据使用环境的不同，三星24Gb GDDR7 DRAM的性能可进一步提升至最高42.5Gbps。

值得一提的是，三星24Gb GDDR7 DRAM还首次引入了低功耗特性技术。通过时钟控制技术、电力双重化设计等技术，将电源效率提高了30%以上。