金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化物半导体发光二极管”的专利，公开号CN 118782711 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种氮化物半导体发光二极管。该氮化物半导体发光二极管，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体，所述p型半导体上方具有p型接触层，所述p型接触层的分离能分布具有N型分布；所述p型接触层的价带有效态密度分布具有倒N型分布；所述p型接触层的空穴迁移率分布具有倒N型分布；所述p型接触层的重空穴有效质量分布具有倒N型分布，该氮化物半导体发光二极管，可以改善电子器件和半导体器件的性能，提高载流子注入效率、改善电子与半导体之间的势垒、减小接触电阻。

本文源自：金融界

作者：情报员