金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利，公开号CN 118782700 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层；有源层依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括交替层叠的InxGa1‑xN层和第一GaN层，第二多量子阱层包括交替层叠的InyGa1‑yN层和第二GaN层，第一空穴注入增强层包括交替层叠的InαGa1‑αN层和AlγInβGa1‑γ‑βN层，第二空穴注入增强层包括交替层叠的InδGa1‑δN层和第三GaN层，第三多量子阱层包括交替层叠的InzGa1‑zN层和第四GaN层；0.3≥y＞x＞z≥0.1，z＞δ≥α≥β≥0.01。实施本发明，可提升Micro‑LED的光效。

本文源自：金融界

作者：情报员