金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司申请一项名为“一种应用于高紫外透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法”的专利，公开号 CN 118754642 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明属于氧化锡基靶材技术领域，提供了一种应用于高紫外透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法。其中，氧化锡基靶材，其原料包括SnO2、第一掺杂组分、第二掺杂组分以及第三掺杂组分；所述第一掺杂组分包括Ga2O3、La2O3、Yb2O3、ZrO2、MgO中的至少一种，所述第二掺杂组分包括Sb2O3、CuO、Y2O3、SiO2、ZnO中的至少一种，所述第三掺杂组分包括B、Ge、Bi中的至少一种。本发明提供的氧化锡基靶材以SnO2作为主元，相比于ITO靶材成本较低，并且在第一掺杂组分、第二掺杂组分以及第三掺杂组分的协同作用下，赋予本发明氧化锡基靶材低电阻和高密度，并且其制备的薄膜具有高紫外光透过率。

本文源自：金融界

作者：情报员