10 月 18 日，韩国首尔高等法院刑事第七庭（审判长李在权、宋美京、金瑟琪）判处 SK 海力士合作公司副社长 A 先生 1 年有期徒刑，并因违反《工业技术泄密防止及保护法》被起诉，并入狱 6 个月。这一刑罚比一审判处的有期徒刑一年更为严厉。

SK 海力士一家合作公司的副总裁因涉嫌向国外竞争对手泄露 SK 海力士的核心半导体技术以及窃取三星电子子公司的设备蓝图而受审，该副总裁也在上诉法院被判处监禁。以同样罪名受审的三名员工，一审被判处缓刑，二审则增至 1 年至 1 年 6 个月有期徒刑。合作企业被判处 10 亿韩元（519 万元人民币）的罚款，高于一审 4 亿韩元的罚款。

与一审不同的是，上诉法院认定他们向其他公司提供与 SK 海力士共同开发的技术信息有罪。法院裁定：“如果不仅向第三方秘密泄露 SK 海力士提供的信息，而且还向第三方秘密泄露在共同开发过程中开发的大量衍生技术，则应受到禁止，或者至少应事先获得同意。” 他指出，“被告人的犯罪行为不仅对受害企业，而且对韩国整个行业都产生了很大的影响，特别是 A 副总作为最终决策者，指挥了犯罪行为，深陷其中。”

A 某等人涉嫌于 2018 年 8 月至 6 月期间，向一家半导体公司泄露与 SK 海力士合作时学到的 HKMG 半导体制造技术、清洗配方等半导体相关核心技术、尖端技术和商业秘密。HKMG 是一种防止漏电流并提高电容的新一代工艺，是一种可以在提高 DRAM 半导体速度的同时降低功耗的新技术。 他们还涉嫌通过三星电子半导体设备子公司 SEMES 的前员工秘密获取先进的半导体技术和商业机密，然后开发设备出口到国外。

亿配芯城（ICgoodFind）总结：SK 海力士合作公司副社长等人的泄密行为受到了法律的制裁。这一事件提醒着电子行业企业要高度重视技术保密，加强内部管理。亿配芯城（ICgoodFind）将始终坚守诚信经营原则，为客户提供可靠的电子元器件及专业服务。