金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN 118763108 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该增强型高电子迁移率晶体管包括衬底、以及依次层叠于衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、复合阻断层以及帽层；复合阻断层包括至少三个子层，且三个子层分别为BAlN子层、SiN子层、P型AlGaN子层；其中，向BAlN子层中进行Si掺杂，且Si掺杂的浓度为1.0×1012atoms/cm3‑7.0×1012atoms/cm3。通过该设置，使得BAlN子层一方面可提高势垒高度，提升沟道层二维电子气浓度，另一方面可有效的阻挡Mg元素向势垒层以及沟道层扩散，改善器件中形成杂质态能级和电荷团簇的问题，降低了漏电流，提高了沟道区域的载流子迁移率，提升了器件的性能。

本文源自金融界