金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,珠海格力电子元器件有限公司、珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法”的专利,公开号CN 118763121 A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法,沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构,栅沟槽结构包括栅介质层和栅极,栅介质层包括第一区域和第二区域,第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度,第二厚度大于第一厚度;位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构,整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域,漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层,半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型,以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
本文源自:金融界
作者:情报员
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