金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，新余赛维铸晶技术有限公司申请一项名为“籽晶组件、铸造单晶硅锭的生长方法及其铸造单晶硅锭”的专利，公开号CN 118814267 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本发明申请公开一种籽晶组件、铸造单晶硅锭的生长方法及其铸造单晶硅锭，涉及铸造单晶硅锭技术领域，本申请提供的一种籽晶组件，适用于铸造单晶硅锭的制备，包括：籽晶层；所述籽晶层为p型籽晶和n型籽晶交替拼接而成，任意相邻的p型籽晶之间设有n型籽晶，任意相邻的n型籽晶之间设有p型籽晶，其中，所述p型籽晶和n型籽晶的电阻率为0.1~1 Ω·cm。本申请通过在铸造单晶硅锭的坩埚底部交替铺设电阻率范围在0.1~1 Ω·cm的p型籽晶和n型籽晶，使得籽晶之间的拼接缝及其相邻侧壁区域形成15μm≤pn结深度≤50μm的pn结区域；有效降低了引晶缺陷，提升了铸造单晶硅锭的品质。

本文源自：金融界

作者：情报员