此前AMD官方已确认,Ryzen 7 9800X3D即将到来。这是AMD在Zen 5架构上加入3D垂直缓存(3D V-Cache)技术的新一代高端游戏处理器,拥有8核心16线程,L3缓存从普通型号的32MB增至96MB,TDP提升到120W,步进为C0,基础频率和加速频率分别为4.7GHz和5.2GHz。

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近日有网友透露,AMD的宣传材料里反复出现“X3D Reimagined”字样,似乎重新设计了CCD与3D V-Cache芯片的堆叠方式,这大概也是为什么AMD将Ryzen 7 9800X3D采用的3D垂直缓存技术称为了“第二代3D V-Cache技术”的原因之一。

之前的X3D产品里,AMD运用了基于台积电的SoIC技术,将两个芯片被铣成一个完美的平面,底层CCX与顶层L3缓存之间是一个完美的对齐,TSV通道可以在没有任何类型的粘合材料的情况下进行匹配。为了实现这个操作,AMD将CCD翻转(由面向顶部改为面向底部),然后削去了顶部95%的硅,再将3D垂直缓存芯片安装在上面,最终在L3级别上实现了共享环形总线设计,使得整个L3缓存可用于每个内核。

到了Ryzen 7 9800X3D,AMD反转了原来的操作,现在变成了CCD在顶部,3D垂直缓存芯片在下面,为每个CCD带来额外的64MB 7nm SRAM缓存。这么做可以让计算模块的热量可以直接散发到IHS上,一定程度上也解决了过往X3D产品所遇到的散热影响频率提升的问题,从而让超频也成为了可能。由于基于Zen 5的CCD里,L3缓存的面积小于Zen 4的CCD,不少人好奇AMD具体是如何去做的。

Ryzen 7 9800X3D计划在11月7日正式上市,预计会成为市场上游戏性能最强的台式机处理器