随着过去一年多人工智能（AI）市场的蓬勃发展，高带宽存储器HBM也成为了DRAM产业的关注焦点。为了进一步提升未来HBM产品的性能，存储器厂商正在考虑从16层堆叠HBM4上引入Hybrid Bonding（混合键合）等先进封装技术，并确定在20层堆叠HBM5中使用。

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据TrendForce报道，目前的12层堆叠HBM3E和HBM4上，延续使用了Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构，到了16层堆叠HBM4和HBM4E，虽然可以选择Hybrid Bonding，但是由于没有明显优势，所以现阶段存储器厂商都还没有做最后的决定，不过从堆叠高度限制、IO密度、散热等方面要求考虑，20层堆叠HBM5使用Hybrid Bonding没有太大疑问。

如果存储器厂商选择在16层堆叠HBM4开始采用Hybrid Bonding，可以更早地经历堆叠技术的学习曲线，更好地确保后续的16层堆叠HBM4E和20层堆叠HBM5顺利量产。不过即便想尽早地引入Hybrid Bonding，还需要面对诸多挑战，比如购买新设备、挤占其他产线的需求等，另外还要克服现阶段还存在的微粒控制等技术问题，可能导致需要更多的投资。此外，由于Hybrid Bonding需以Wafer to Wafer模式堆叠，若前端生产良品率过低，整体生产良品率将不具备经济效益。

有分析指出，Hybrid Bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用Wafer to Wafer模式堆叠需确保HBM基础芯片和内存颗粒的尺寸完全一致，因此同时提供GPU/ASIC和基础芯片制造的台积电，可能要承担起堆叠重任，势必导致整个HBM生产各个环节的产业地位发生变化。