金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,苏州英嘉通半导体有限公司取得一项名为“倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 113659001 B ,申请日期为 2021 年 9 月 。

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作者:情报员