金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法”的专利,公开号CN 118888596 A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本发明公开了一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,从下到上依次设置有Fe掺杂半绝缘衬底、非故意掺杂UID层以及Si掺杂轨道层;所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区,n+源区的上方设置有源极金属和漏极金属;所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区,所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽、绝缘介质以及栅极金属。通过采用横向沟槽栅结构,显著改善了栅极的控制能力,降低了器件的衬底漏电,提高了器件的电气稳定性和能效,在Si掺杂轨道层下方构建p型沟道控制区,进一步降低了由沟槽栅结构引起的导通电阻,增加了开态电流。
本文源自:金融界
作者:情报员
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