新品速递 | 多家半导体厂商新品动向一览|mosfet|二极管|传感器|信号|新品动向一览

【哔哥哔特导读】本周，多家半导体厂商发布最新产品进展，涵盖MOSFET驱动器、二极管、生物传感芯片、电源降压芯片等等。

本周，多家半导体芯片大厂发布新品芯片应用，其中英飞凌推出了效率更高的CoolSiC™肖特基二极管2000 V，意法半导体、芯伯乐和美芯晟也在生物传感芯片、电源降压芯片、闪烁光传感器芯片等领域取得芯片应用的新进展。

01 | 瑞萨电子：四通道主站芯片和传感器信号调节器，以推动不断增长的IO-Link市场

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出两款面向快速增长的IO-Link市场的半导体芯片解决方案：CCE4511四通道IO-Link主站芯片，和ZSSC3286——IO-Link就绪型双通道电阻式传感器信号调理芯片。

图源：“瑞萨电子”公众号

CCE4511四通道IO-Link主站IC

瑞萨新推出的CCE4511芯片是业界首款针对IO-Link协议的四通道主站芯片，芯片每个通道具有500mA的驱动电流，该芯片应用相比双通道主站器件具有诸多优势。这个芯片应用凭借其节能、减小PCB尺寸，且芯片所需外部组件少于同类竞品。

CCE4511芯片应用提供高压接口以及过压检测和过流保护芯片功能。为提高芯片应用性能，这款芯片集成的IO-Link帧处理器可自动执行大部分底层通信任务，由此显著减轻微控制器(MCU芯片)的负载，从而让其该芯片任务获得更多性能，并/或允许设计人员使用成本更低的MCU芯片。

CCE4511芯片应用的工作温度高达125ºC，适用于恶劣的工业环境;该芯片应用还支持检测来自IO-Link设备的就绪脉冲，这是满足新定义的IO-Link芯片应用安全系统扩展的必要条件。

ZSSC3286芯片 IO-Link就绪型

双通道电阻式传感器信号调节器芯片

ZSSC3286芯片作为一款双通道传感器信号调理芯片(SSC)，该芯片产品用于对传感器信号进行高精度放大、数字化和传感器特定校正。该芯片应用支持IO-Link连接，并且芯片集成运行IO-Link智能传感器配置文件的IO-Link协议栈，用于数字测量和开关传感器。该芯片适用于桥式和半桥式传感器以及外部电压源元件。

传感器偏移、灵敏度、温度漂移和非线性的数字补偿通过一个基于32位Arm的数学内核实现。该芯片内核运行一种校正算法，并将校准系数存储在非易失性、可重编程的存储器中。可编程的集成式传感器前端可为各种应用场景优化使用不同的传感器。

ZSSC3286是首款集成IO-Link兼容协议栈的传感器信号调理器。传统上，需要使用额外的微控制器来运行协议栈。而ZSSC3286取消MCU芯片应用，可节省板载空间和成本。

此外，它还拥有两个分辨率高达24位的并行ADC、一个用于优化性能的测量调度程序，以及先进的系统诊断功能。

瑞萨将CCE4511芯片和ZSSC3286芯片与其丰富的嵌入式处理、模拟、电源和连接解决方案系列产品相结合，创建了IO-Link传感器成功产品组合。

02 | 意法半导体：新款生物传感芯片实现更快性能和更低功耗。

全球领先的半导体供应商意法半导体推出一款新型生物传感芯片，用于智能手表、运动手环、智能戒指或智能眼镜等下一代医疗可穿戴设备。ST1VAFE3BX 芯片将高精度生物电势输入与 ST 经过验证的惯性传感和 AI 内核相结合，在芯片中执行活动检测，以确保芯片应用上更快的性能和更低的功耗。

图源：意法半导体官网

该ST1VAFE3BX芯片提供了将可穿戴应用从手腕扩展到身体其他位置的机会，例如芯片应用于生活方式或医疗监测目的的智能贴片。意法半导体的客户BM Innovations GmbH(BMI)和Pison正在该芯片领域的前沿工作，并迅速采用新传感器来推动新芯片产品的开发。

ST1VAFE3BX 芯片现已投入生产，采用 2mm x 2mm 12 引脚 LGA 封装。

03 | 英飞凌：推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V，效率更高

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一芯片应用需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。

图源：英飞凌官网

该芯片产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。

该芯片产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显著提升了功率密度。

此外，CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，实现了更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保系统性能更优。

2000 V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将于2024年12月推出。

04 | Vishay：新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125°C，传播延迟低至200 ns。