金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“一种导气结构”的专利，授权公告号 CN 221940612 U，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种导气结构，包括：气环本体，设置于反应腔的内部上方，其中，反应腔的内部放有待处理的基片，气环本体的环绕范围不小于基片的大小；第一通道，设置于气环本体的内部，并贴合气环本体的内壁，内壁上均布多个导气孔；至少两条第二通道，位于气环本体的内部的第一通道的外侧，各第二通道的两端与第一通道连通，并且各第二通道相互之间径向和/或轴向间隔设置；以及通气接口，连接第二通道，以使工艺气体经由第二通道传递到第一通道，并经由内壁通入反应腔。本实用新型提供的导气结构，有利于进一步提高通入反应腔内的工艺气体的均匀度，使工艺气体均匀分布于反应腔内各个区域，从而提升反应腔内的工艺均匀度。

本文源自：金融界

作者：情报员