(一)重要市场新闻
1、美股三大指数收盘涨跌不一,纳指涨1.51%,标普500涨0.74%,道指平收,纳指、标普500指数续创历史收盘新高;大型科技股全线上涨,英特尔涨逾4%,Meta涨超3%,苹果、特斯拉、谷歌、英伟达涨超2%,亚马逊、微软涨超1%;其中,亚马逊、英伟达、奈飞均再创历史收盘新高;中概股普涨,纳斯达克中国金龙指数收涨3.5%,小鹏汽车涨超15%,富途控股涨超12%,哔哩哔哩涨近9%,京东、蔚来涨超6%。
2、国际原油期货结算价涨约1%。WTI 12月原油期货收涨0.67美元,涨幅0.93%,报72.36美元/桶。布伦特1月原油期货收涨0.71美元,涨幅0.95%,报75.63美元/桶。欧洲主要股指集体收涨,德国DAX 30指数涨1.79%,欧洲STOXX 600指数涨0.74%,欧元区STOXX 50指数涨1.1%,富时泛欧绩优300指数涨0.69%。
3、当地时间11月7日,美国联邦储备委员会宣布,将联邦基金利率目标区间下调25个基点,降至4.5%至4.75%之间的水平。今年9月18日,美联储宣布将联邦基金利率目标区间下调50个基点,降至4.75%至5%之间。富时中国A50期指夜盘收涨1.07%,报14310点。
(二)宏观新闻
在11月7日召开的商务部例行新闻发布会上,新闻发言人表示,近日商务部等6部门发布了《外国投资者对上市公司战略投资管理办法》,新规降低了战略投资门槛,拓宽了投资渠道,将于12月2日起正式施行。新的《办法》增加允许外国自然人实施战略投资,适当放宽外国投资者境外资产要求。对以定向发行、要约收购方式实施跨境换股的,允许以境外非上市公司股份作为支付对价。将以协议转让、要约收购方式实施战略投资的持股比例要求从10%降低至5%。将外国投资者的持股锁定期由不低于3年调整为不低于12个月,如果今后证券市场有关规定对锁定期有新要求,则需要从其新规。
(三)机构观点
青岛安值投资高级研究员程天燚:特朗普当选,影响市场风险偏好的因素落地,市场预期会有较强的内需政策出台,对政策有较高的期待,美国选举事件对市场会有一定的扰动,但是不会改变中长期的走势,这次行情启动的原因在于决策层对于经济形势与资本市场态度的转变,这是抬升市场中枢的核心要素,在此基础上有大量增量资金入市,推动市场不断向上,外部因素扰动落地之后回归国内政策。对于后续,如果出台较多政策,同时经济数据环比逐渐改善,市场可能还将继续向上。短期的方向上,更多关注政策分歧较小的化债、重组等方向。
排排网财富研究部副总监刘有华:昨日市场在大金融+大消费的带领下,走出了放量反包行情!大金融作为牛市旗手再次发力,特别是中信证券的涨停,对大金融甚至整个市场起到了一两拨千斤的作用。此前我们一直强调牛市预期下,券商是核心受益品种。此外近期公布的10月PMI数据也显示经济有企稳迹象,随着后续政策出台与见效,基本面就有修复预期,市场就有走强的基础!因此,我们对后市依然看好!对于市场,只要市场在1.5万亿元以上成交水平,个股机会依然较多,因此可以“轻指数、重个股”!
华辉创富投资总经理袁华明:本轮行情主要是利好政策带动投资者情绪改善推动,因此板块机会可以从政策和市场情绪两个维度来发掘。房地产方向政策调整大,加上前期调整充分,困境反转的机会突出。券商板块是牛市风向标,启动快,涨幅弹性大。牛市会使得保险企业的收益端改善,进而带来经营利润的大幅提升。中小盘股上行弹性更突出一些,可以适度发掘和把握。
(四)行业掘金
1、2024年全球6G发展大会将于2024年11月13-14日在上海市举行,据悉,IMT-2030(6G) 推进组等主办的“全球6G发展大会”是国内6G领域技术覆盖最全面、专业水平最高、影响力最大的国际盛会。6G作为更先进的下一代移动通信系统,具有前瞻性、引领性和带动性特点。6G将超越传统通信范畴,通过感知与通信融合、人工智能与通信融合、空天地一体化等愿景,催生颠覆性技术与应用。当前部分6G新技术已经开始正式应用,而6G技术正逐渐接近技术标准制定、产业推进和应用培育的研究阶段,有望在2030年具备商用能力,届时将超越传统通信范畴,在无人机、家用机器人等领域形成广泛应用场景。概念股包括上海瀚讯,天银机电,硕贝德等。
2、第十八届深圳国际金融博览会11月7日开幕,在央行数字货币研究所所长穆长春见证下,数字人民币可视硬钱包全国首发。该产品兼具可碰、可视、可扫等优点,内置墨水屏显示余额和付款码。另外上海推出了新一轮数字人民币试点应用行动方案,力争到2025年底,基本形成场景覆盖面广支付服务体验良好、创新应用丰富、各方参与积极的数字人民币生态体系。多地积极部署数字人民币试点工作,将进一步拓展数字人民币的应用场景,有利于推动传统支付系统升级。通过创新应用和服务,银行及支付机构能够开发更加高效、安全、便捷的支付服务,提升消费者的支付体验。概念股包括飞天诚信,旗天科技,科蓝软件等。
3、近日中国松山湖材料实验室的研究团队与西安电子科技大学及广东致能科技有限公司联合攻关,成功基于2-6英寸AlN(氮化铝)单晶复合衬底制备了高性能GaN HEMTs。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势,AlGaN缓冲层厚度降至350 nm,外延成本大幅下降,且有效控制晶圆翘曲。这一进展标志着我国在新一代技术的研发和应用方面迈出了坚实的一步。这一技术突破不仅提升了GaN HEMTs器件的应用前景,同时也为未来高功率电子设备的广泛应用提供了可能性。随着对功率电子元件需求的不断增长,在新能源汽车、5G基站、卫星通信等领域。概念股包括力源信息,赛微电子等。
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