金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶飞半导体科技有限公司申请一项名为“一种侧向压应力提高对比度的晶锭小面区域检测方法”的专利，公开号 CN 118914154 A，申请日期为 2024年8月。

专利摘要显示，本申请涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种侧向压应力提高对比度的晶锭小面区域检测方法，包括步骤：对晶锭施加侧向压应力；激发光照射晶锭表面的各个区域，并收集各个区域的荧光；根据荧光的中心波长和强度确定小面区域。本发明通过引入侧向压应力，结合荧光中心波长和强度的分析，显著提高了小面区域和非小面区域的对比度，提高小面区域检测的准确度。另外，本发明的方法不仅适用于碳化硅晶锭，还可以应用于其他具有类似光学和机械性质的材料。通过调整激发光波长和应力大小，可以广泛应用于不同材料的检测和分析。

本文源自：金融界

作者：情报员