金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底及其制造方法”的专利,授权公告号CN 115188704 B,申请日期为2022年7月。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底及其制造方法”的专利,授权公告号CN 115188704 B,申请日期为2022年7月。
本文源自:金融界
作者:情报员
00:12
热门跟贴