金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，南京国盛电子有限公司申请一项名为“改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片”的专利，公开号 CN 118932482 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片，所述生长方法包括以下步骤：S1、碳化硅衬底清洗，使用特定混合比例的溶液对衬底进行两次清洗；S2、衬底载入反应腔；S3、进行第一次刻蚀；S4、进行第二次刻蚀；S5、生长第一层缓冲层；S6、生长第二层缓冲层；S7、生长主外延层；S8、外延生长完成，取出外延片。本发明通过使用清洗溶液对碳化硅衬底进行两次清洗，消除衬底表面的颗粒和金属离子，提升衬底表面质量，从而减少外延过程中生成浅三角形缺陷的数量。

本文源自：金融界

作者：情报员