NVIDIA被曝把生产重点转向RTX 50系
NVIDIA计划在明年CES开始推出RTX 50系列显卡，并预计在几个月内把顶级旗舰到中端产品全线布置好。根据此前消息预计会在1月的CES上直接发布RTX 5090/5090D以及RTX 5080，2月发布RTX 5070 Ti和RTX 5070，3月推出RTX 5060 Ti和RTX 5060。随着新一代显卡的到来，现在的RTX 40也会相继停产。
据博版堂的消息，RTX 40系列显卡进入清库存末尾阶段，大概会有两个月的时间去清理库存，根据上游的消息，目前NVIDIA已经全部撤掉除AD107以外的所有RTX 40系GPU的产线，产能全部转换到RTX 50系列，接下来就是RTX 40系中高端产品清库存的时间。
目前还维持的AD107其实是RTX 4060和RTX 4050的GPU，这些显卡估计在RTX 5060推出后还会继续生产来维持主流级产品线。
对于AIC来说，RTX 40系要清库存就意味着他们接下来几个月拿到的RTX 40系GPU会逐渐减少，接下来的重点都会转移到RTX 50上。
AMD发布第二代Versal Premium系列
日前，AMD宣布推出第二代Versal Premium系列自适应SoC，旨在为各种工作负载提供最高级别的系统加速。AMD表示，新产品将成为FPGA行业首款在硬IP中采用CXL（Compute Express Link）3.1和PCIe Gen6，并支持LPDDR5的器件。
AMD公司高级副总裁兼自适应和嵌入式计算事业群总经理Salil Raje表示：“系统架构师一直在寻求在更小的空间内容纳更多的数据，并在系统各部分之间更高效地移动数据。我们最新加入的Versal Premium系列产品组合可以帮助客户提高整体系统吞吐量和内存资源利用率，从而实现最高性能，并为他们从云到边缘的最苛刻应用开启洞察力。”
Versal Premium系列自适应SoC支持速度达8533 Mb/s的LPDDR5，以及速度为6400 Mb/s的DDR5；相比于支持PCIe Gen 4或Gen 5的FPGA，PCIe Gen 6能提供2至4倍的速率；运行PCIe Gen 6规格的CXL 3.1设备在类似时延下，能提供CXL 2.1设备的双倍带宽，以及增强的架构和一致性功能；允许为多个加速器实现可扩展的内存池和扩展，从而优化存储器利用率，并提升带宽和容量。
第二代Versal Premium系列的开发工具预计于2025年第二季度推出，随后在2026年初提供样品，2026年下半年开始生产发货。
华为手机将放弃骁龙标配麒麟
近日，市场调研机构Canalys公布了2024年第三季度智能手机处理器厂商市场占比情况，华为海思增长表现最为突出。
按智能手机出货收入计算，苹果仍是排名第一的处理器厂商，凭借着iPhone的高售价，苹果占据了总市场价值的41%。高通紧随其后，占据了总市场价格的28%。联发科天玑9300、9400的热销，也带动了联发科的高端处理器市场，其排名第三，占据了17%的份额。
从出货量上看，联发科保持在智能手机处理器市场的领先地位，不过出货量同比下降了4%至1.193亿台，但市场份额仍达38%。
排名第二的是高通，出货量为7600万台，同比增长4%，市场占比为24%，而苹果的出货量为5400万台，同比增长9%，占全部出货量的18%，排名第三。
海思是增长最快的智能手机处理器厂商，同比增长211%。这一增长主要得益于华为中端智能手机产品成功引入麒麟SoC，从而大幅提振海思的出货量。此外，华为还在旗下手机上都摒弃了骁龙处理器。
台积电产能被疯抢
尽管苹果iPhone系列略显颓势，但是得益于高通、联发科的强劲带动，加上NVIDIA、AMD、Intel三巨头，台积电明年上半年的3nm工艺产能利用率将达到100％， 持续满负荷运行。
在AI芯片的推动下，台积电5nm的产能利用率更是将达到101％，超负荷运转。
今年10月，台积电就入账约合人民币699.2亿元，环比增长24.8％，同比增长29.2％，再次创下历史新高。
NVIDIA方面，新一代Blackwell GPU正开始批量生产、供货，预计到今年年底可生产大约20万颗B200芯片，明年三季度还会有升级版B300A，继续采用3nm工艺，封装技术从CoWoS-L升级到CoWoS-S。
为此，台积电CoWoS封装产能今年底可达每月3.6万片晶圆，明年底将涨至9万片以上。
三星开始为大型CSP开发定制HBM4
此前，台积电与三星达成协议，共同开发HBM4，这将是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。三星为了在HBM领域取得进展，正在与各个代工厂合作，准备了20多种定制解决方案。
据TrendForce报道，三星已经开始开发定制HBM4，客户包括微软和Meta，目标是2025年末进入大规模生产阶段。有消息人士透露，三星正在建立一条HBM4专用生产线，目前正处于“试生产”阶段，以便在量产之前进行试制。
按照今年初三星公布的HBM4计划，数据传输速度将达2TB/s，相比HBM3E提高了66%，将提高16层堆叠的模块，容量从36GB提升至48GB。在HBM3上，高带宽内存的重点都放在热管理和提高速度上，到了HBM4，重点将转向集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的需求。
最近有报道称，三星再次将注意力转向PIM技术，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。这种做法可以将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般处理器之间转移数据的负担。
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