金融界2024年11月14日消息，国家知识产权局信息显示，苏州艾镁特电子有限公司取得一项名为“一种具有高抗压性能的肖特基二极管”的专利，授权公告号 CN 221994476 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有高抗压性能的肖特基二极管，包括半导体本体，所述半导体本体的底部一体定位有半导体衬底，所述半导体衬底上定位有阳极金属体与绝缘体，所述半导体本体的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区，所述导电类型JTE区的内部设置有斜沟槽、第一导电材料与第二导电材料，所述半导体本体中一体定位有加强支撑框，所述半导体衬底中一体定位有防护外框。本实用新型所述的一种具有高抗压性能的肖特基二极管，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度，提高其反向抗击穿能力，且同时增加半导体的使用强度抗压性能更为优异表面具有很好的保护效果，同时具有一定的屏蔽能力，更为实用。

本文源自：金融界

作者：情报员