成都高真申请一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法专利,解决因钴氧化导致的硅过度生长问题
金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,成都高真科技有限公司申请一项名为“一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法”的专利,公开号 CN 118943010 A,申请日期为2024年4月。
专利摘要显示,本发明涉及一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法。一种形成钴钛硅化物层的方法,其包括下列步骤:以钴钛合金为靶材,在硅层上溅射钴钛层;利用快速热处理法加热所述钴钛层,使其转变为钴钛硅化物层。本发明解决了因钴氧化导致的硅过度生长问题,并且降低了硅化物层的缺陷率。
本文源自:金融界
作者:情报员
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