金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,成都高真科技有限公司申请一项名为“一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法”的专利,公开号 CN 118943010 A,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本发明涉及一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法。一种形成钴钛硅化物层的方法,其包括下列步骤:以钴钛合金为靶材,在硅层上溅射钴钛层;利用快速热处理法加热所述钴钛层,使其转变为钴钛硅化物层。本发明解决了因钴氧化导致的硅过度生长问题,并且降低了硅化物层的缺陷率。

本文源自:金融界

作者:情报员