金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“低导通电阻半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 118943006 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种低导通电阻半导体功率器件的制备方法，包括在半导体衬底上刻蚀形成沟槽；在沟槽内沉积高纯度未掺杂硅，形成本征硅外延层；在本征硅外延层上沉积锗硅外延层，温度控制在800℃以下，控制锗含量<20％，硼浓度<1E18cm‑3，采用低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)或物理气相沉积(PVD)方法；其中LPCVD方法中的总气体压力小于200torr。通过控制硅烷和锗烷气体的流量，使锗烷气体占总气体流量的比例小于20％。本发明解决了传统高温外延过程中的P型半导体材料外扩，导致衬底电阻受影响的技术问题。

本文源自：金融界

作者：情报员