金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，中电化合物半导体有限公司取得一项名为“一种合成碳化硅粉料的坩埚”的专利，授权公告号CN 221999821 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种合成碳化硅粉料的坩埚，至少包括：盖体，所述盖体的中心设置孔洞；石墨板，设置在盖体的一侧，且所述石墨板的中心设置匹配孔洞；连接件，依次贯穿所述孔洞和所述匹配孔洞，连接所述石墨板和所述盖体；坩埚主体，设置在所述石墨板远离所述盖体的侧以及卡套件，套设在所述坩埚主体靠近所述石墨板一侧的内壁上，且所述卡套件的中心为空心状。通过本实用新型提供的坩埚，能够减少碳化硅粉料合成过程对坩埚的腐蚀，延长坩埚的使用寿命。

本文源自：金融界

作者：情报员