今年4月，台积电（TSMC）宣布与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》向前者提供约66亿美元的直接拨款，另外初步提供最高55亿美元的贷款。台积电还计划就亚利桑那州工厂资本支出中符合条件的部分，向美国财政部申请最高25%的投资税收抵免。

据TomsHardware报道，台积电和美国商务部已敲定了亚利桑那州新建Fab 21项目的款项，预计会有66亿美元直接拨款和50亿美元的贷款，以支持整个园区大概650亿美元的建设支出，其中将兴建三个晶圆厂，预计在本十年末期完工。整个项目将创造6000多个直接制造工作岗位，以及超过20000个累计的建筑工作岗位。

根据美国政府最新公布的Fab 21项目制程工艺路线安排，Fab 21将引入A16和N2系列（N2、N2P和N2X）工艺，以生产最新的芯片。不过比起中国台湾的晶圆厂量产时间要晚大概三年，大概会在2029年末。台积电在2nm制程节点将引入GAA晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。之前有消息称，过去几年一直困扰的SRAM单元缩减问题似乎也看到了曙光。

Fab 21项目的一期工程初期投入120亿美元，选择了4/5nm工艺的生产线，目前进展良好，已进行了试产，计划在2025年上半年投产；二期工程原计划选择3nm工艺的生产线，现在将推进至2nm工艺，预计在2028年投产，前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆；新增三期工程将采用2nm或更先进的制程技术，预计2030年之前投产。