「行业前瞻」2024-2029年中国高带宽存储器行业发展分析|hbm|中国|内存|存储器|行业前瞻|阵列

行业主要上市公司：紫光国微(002049)、太极实业(600667)、通富微电(002156)、国芯科技(688262)、长电科技(600584)、华天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龙(301308)等

混合键合工艺

混合键合(Hybrid
Bonding)是一种先进的封装技术，它结合了两种不同的键合技术：介电键合和金属互连。这种技术采用介电材料(通常是氧化硅，SiO₂)与嵌入式铜 (Cu)
焊盘结合，允许在硅晶片或芯片之间建立永久电连接，而无需焊料凸块，这种无凸块方法通过减少信号损耗和改善热管理来提高电气性能。考虑到高带宽存储需求持续增长对芯片堆叠层数及密度的提升，未来混合键合有望成为HBM主流堆叠技术。目前海力士正在加速开发新工艺“混合键合”，HBM的DRAM芯片之间通过“微凸块”材料进行连接，通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，从而显著减小芯片的厚度。

MR-MUF工艺

当前市场主流的HBM堆叠技术主要以MR-MUF工艺技术为主。MR-MUF技术主要通过回流焊将多个芯片粘合在一起，并在芯片之间使用液态EMC材料进行间隙填充。与传统TC-NCF工艺相比，MRMUF具有更高的导热效率，有助于改善HBM因为堆叠层数增加而导致的散热问题，以8Hi
HBM为例，在2Gbps引脚速率的相同工作条件下，使用MR-MUF工艺的HBM产品相较TC-NCF工艺在最大结温方面降低了14℃。

定义

高带宽存储器(High Bandwidth
Memory，HBM)是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。

2023年全球HBM市场规模翻倍增长，中国HBM需求占全球约7%

由于 HBM
的高平均售价和盈利能力，内存领域出现了大量资本投资。当前AI高工作负载不断驱动对更高带宽内存的需求，以提升硬件设备和处理单元之间的数据传输速率，HBM作为当前AI领域首选的高带宽内存技术，2023年其市场规模翻倍增长，达到约44亿美元。根据Digitimes公布的数据，中国高带宽存储器的需求约占全球整体需求的7%，据此测算，2023年中国HBM市场规模约3.1亿美元。