欧洲三大芯片巨头，重新审视供应链|恩智浦|碳化硅|英飞凌

在上周刚刚举办的Electronica 2024 CEO圆桌论坛上，英飞凌，恩智浦以及意法半导体三家芯片巨头CEO齐亮相，三家CEO集体表达了对中美关系的担忧，同时三位也有一个共识，即中国在全球半导体供应链中扮演着越来越重要的角色，尤其是在电动汽车和工业领域。

讨论中提到，中美的政策和限制对全球半导体供应链产生了影响，企业需要适应这些变化。同时，由于中国正在大力投资半导体产业，包括建设新的晶圆厂，以减少对外部供应链的依赖。因此欧洲公司也需要理解“中国制造”战略，并积极扩展在中国的生产和研发布局，以及与中国合作伙伴的合作。

一方面中国早已成为了欧洲半导体巨头的重点市场，同时伴随着全球经济的不确定性，三家欧洲半导体公司都不约而同的变革供应链，以满足中国强烈的市场需求以及全球的低迷。

冀凯、付斌｜作者

电子工程世界（ID：EEWorldbbs）｜出品

英飞凌：全方位降低功率器件成本

全面发力硅、碳化硅以及氮化镓的英飞凌正在不断降低这三类产品的成本。另外，英飞凌也宣布暂缓居林二期的扩产，以确保实施“正确的”产能计划。

首先，在硅方面，英飞凌10月29日宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。这一突破使得晶圆的厚度减半（从40μm减少到20μm），电阻减半，同时降低功率损耗超过15%，为更节能的电力系统铺平道路。反观中国竞争对手晶圆厚度在80μm～100μm间，西方和日本竞争对手则为40～60μm。该技术将主要应用于AI服务器的DC/DC转换器。不过，值得注意的是这也是国产制程为数不多的直接与英飞凌对比，至少登上了餐桌，也证明了英飞凌对中国对手的关注。

其次，在碳化硅方面，随着马来西亚居林第三厂区（Kulim 3）启用（8月9日一期建设正式启动运营），英飞凌有望成为业界最具竞争力的碳化硅技术供应商，同时该厂将成为全球最大且最具竞争力的 200mm碳化硅功率半导体晶圆厂。此前，英飞凌曾称，将在未来五年在Kulim投入高达50亿欧元用于扩产。

英飞凌的碳化硅包括四点优势：在原材料供应上，拥有超过6家的晶圆和晶棒供应；拥有先进的沟槽技术，比平面碳化硅性能高出30%；拥有行业最佳的封装解决方案，在.XT技术加持下获得最高的功率密度；拥有数十年的经验，不仅拥有最广泛的产品组合，也可定定制解决方案。

值得一提的是，Kulim 3将与英飞凌在奥地利菲拉赫（Villach）一起建立弹性的供应。目前，Villach厂200mm SiC试点项目进展顺利，选定大批量技术资格鉴定几近完成，SiC原材料实现多方供应，晶圆良率优于或等于150mm。根据英飞凌的计划，Villach和Kulim将在资格认证的3年内完全过渡到200mm，将在2025年Q1开始推出基于200mm的产品，并在200mm上开发新产品。

结合此前新闻来看，加上Villach和Kulim计划的200mm SiC转换，英飞凌预计对于碳化硅的投资将在2030年前带来约70亿欧元的年SiC收入潜力。英飞凌对于制造的投入也将支持英飞凌在2030年前实现近30%的SiC市场份额目标。

最后，在氮化镓方面，英飞凌9月12日宣布率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术。按照英飞凌的说法，这项技术能够彻底改变行业的游戏规则，相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因晶圆直径扩大，每片晶圆上芯片数量增加了2.3倍，显著提高了效率。目前，英飞凌已在Villach厂利用现有300mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300mm GaN晶圆。

恩智浦：继续发挥混合IDM的优势

恩智浦预计未来到2030年间，其晶圆使用量将增长1.5倍。

为此，恩智浦制定了详细的混合制造模式，尤其是前端工艺，到2030年要从目前40%占比减少到20%占比，后道比率保持不变。

两则重磅新闻：一是欧洲台积电与恩智浦、博世和英飞凌合资建立ESMC，二是恩智浦与世界先进在新加坡合资建立VSMC。

合资公司ESMC全称European Semiconductor Manufacturing Company，该项目基于欧盟委员会公布的《芯片法案》框架进行规划，项目位于德国德累斯顿。计划中的合资公司将由台积电持股70%，博世、英飞凌和恩智浦半导体各持股10%。工厂预计在2027年首次生产，晶圆产能可达4万片/月。使用台积电28/22nm CMOS和16/12nm FinFET工艺技术，每月生产约40000个300mm晶圆。

根据恩智浦的规划，5亿美元的股权融资将支持恩智浦每年20亿美元的收入。

合资公司VSMC全称VisionPower Semiconductor Manufacturing Company，总投资额为78亿美元，恩智浦持股将达到40%。合资公司将于2024年下半年正式启动建设，计划2027 年实现量产并开始向客户供应首批芯片产品，预计到2029年寸晶圆产能达到5.5万片/月。

根据恩智浦的规划，28亿美元的股权融资将支持恩智浦每年40亿美元的收入。

对于马来西亚吉隆坡封测厂，恩智浦将会继续扩大投入，增加到6Mu/周。根据规划，11亿美元的投入将会支持恩智浦每年30亿美元的收入。

恩智浦特别提到了中国市场。在中国，恩智浦选择台积电南京、中芯国际、华虹分别开发16/28nm，40nm以及180nm不同种类的产品。天津封测厂完成80%的内部制造，20%由外部实现。

意法半导体：重塑制造业务并调整结构成本

在意法半导体（ST）举办的投资者峰会上，ST重申了其到2030年实现200亿美元以上收入的宏伟目标，并预计届时营业利润率将超过30%。

ST正在执行其制造重塑计划，这涉及到对制造业务的重新配置和优化。通过这一计划，ST预计将在2027年实现与当前成本基础相比高达数亿美元的节省，这将有助于公司达到22%至24%的营业利润率。

ST继续在BCD和其他宽带隙技术方面进行创新，以提高设计的灵活性和性能。公司在硅和宽带隙材料的高能效应用方面不断取得进展，特别是在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术方面。

透过全球合作伙伴网络，ST旨在帮助客户减少开发时间和成本，缩短产品上市时间，以获得更高的市场份额、收入和销售增长。

ST也格外关注制造的多重供应。前端高质量制造中心包括意大利Agrate 300mm混合信号厂、意大利Catania 200mm SiC（垂直整合）厂、法国Crolles 300mm数字厂、三安合资200mm SiC厂，后端高质量制造中心包括马来西亚Muar先进引线和面板级封装厂、中国深圳电源封装（模块、分立、KGD）、马耳他Kirkop全工业4.0封装厂。

从占比来看，ST前端晶圆外部代工占比达到20%，后端封测外部代工占比达到35%。

差异化技术是ST的基础，包括MEMS、智能电源BCD、FD-SOI CMOS、分立、功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN、eNVM CMOS、垂直智能电源、光学传感解决方案等。实现这些解决方案的基础是封装技术，包括引线、层压、传感器模块、晶圆级。

在差异化方案中，ST也对产品进行了一定的规划，包括：BCD Auto（BCD GaN电磁隔离）、第四/五代SiC技术、超结/LV/HV PMOS、六轴MEMS、压力传感器、3D堆叠传感器、平面光学元件、55nm BiCMOS、28nm RF FD-SOI、40nm模拟ePCM、18nm FD-SOI ePCM。