金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司取得一项名为“加热座及碳化硅外延设备”的专利，授权公告号CN 222024559 U，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种加热座及碳化硅外延设备，属于碳化硅生产设备技术领域，该加热座用于与另一加热座围成生长腔室；生长腔室内具有外延生长区域；加热座具有沿第一方向贯穿设置的第一腔室，加热座包括第一内壁和第一壁，第一内壁围成第一腔室；第一壁与第一内壁相背离，且第一壁用于围成生长腔室；其中，第一内壁和第一壁之间具有沿第一方向贯穿加热座的通气孔，通气孔与外延生长区域沿第二方向相对设置，第二方向与第一方向垂直。本申请通过在加热座上外延生长区域对应的位置设置通气孔，以通入流动的气体带走生长腔室中心的热量，降低生长腔室中心的温度以减少生长腔室中心和边缘的温度差值，进而解决外延片厚度和载流子浓度均匀性差的问题。

本文源自：金融界

作者：情报员