SK海力士宣布，量产全球最高的321层1Tb TCL 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。

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SK海力士表示，从2023年6月量产当时最高的238层NAND闪存产品，并向市场供货，现在又率先推出了超过300层的NAND闪存，再一次突破了技术界限。这次的新产品积极应对了面向人工智能（AI）的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士在这次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士的技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层新品，由此最大限度地减少了工艺变化，相比上一代产品的生产效率提升了59%。

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在SK海力士看来，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储市场方面占据了有利地位。使得SK海力士不仅在以HBM为代表的DRAM市场占得先机，也在NAND闪存领域具备了超高性能存储器产品组合，跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。