金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“种耐高温低损耗纳米晶隔磁材料及其制备方法”的专利，公开号CN 118984580 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种耐高温低损耗纳米晶隔磁材料及其制备方法，属于电磁屏蔽、无线充电磁片材料技术领域，克服现有技术中去应力方法耗时长、效率低的缺陷。本发明耐高温低损耗纳米晶隔磁材料的制备方法包括以下步骤：S1、在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶，制得覆胶纳米晶带材；S2、对覆胶纳米晶带材进行碎磁，制得单层纳米晶磁性层；S3、对单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料；S4、对复合材料进行去应力处理，制得纳米晶隔磁材料；去应力处理包括：将复合材料在120～180℃下加热，然后进行弯折，并在拉力下收卷。本发明创造性地采用加热、弯折并恒张力拉伸去应力，相较于高温高湿放置去应力需要的时间更短，更加高效。

本文源自：金融界

作者：情报员