金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及用于制造半导体器件的方法”的专利，公开号 CN 119031723 A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括多个存储器单元。每个存储器单元包括：被配置为存储数据的存储器层；以及被配置为控制对存储器层的访问的选择器层，其中选择器层包括：包括混合的绝缘材料和多孔材料的层、以及存在于该层中并且破坏绝缘材料的组成元素之间的接合的掺杂剂。

本文源自：金融界

作者：情报员