金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,南京第三代半导体技术创新中心有限公司取得一项名为“多层外延超结MOSFET及其制造方法”的专利,授权公告号CN 118571949 B,申请日期为2024年8月。

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作者:情报员