金融界 2024 年 11 月 30 日消息,国家知识产权局信息显示,杭州芯迈半导体技术有限公司取得一项名为“一种沟槽型 MOSFET 及制造方法”的专利,授权公告号 CN 116759444 B,申请日期为 2023 年 8 月。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界 2024 年 11 月 30 日消息,国家知识产权局信息显示,杭州芯迈半导体技术有限公司取得一项名为“一种沟槽型 MOSFET 及制造方法”的专利,授权公告号 CN 116759444 B,申请日期为 2023 年 8 月。
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