金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海精测半导体技术有限公司申请一项名为“一种薄膜参数的测量方法”的专利，公开号 CN 119044075 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明实施例公开一种薄膜参数的测量方法，该方法包括：构建薄膜的模型函数并获取薄膜的测量光谱，模型函数用于对测量光谱进行拟合；获取模型函数中的各个待测参数的灵敏度，并获取灵敏度中灵敏度最小的第一待测参数和/或待测参数中灵敏度最大的第二待测参数，得到目标待测参数；获取目标待测参数对应的灵敏度修正项，并将模型函数中的目标待测参数替换为灵敏度修正项得到第一改进模型函数，灵敏度修正项是因变量为目标待测参数的表达式；以及基于测量光谱和第一改进模型函数，通过非线性回归方法确定待测参数的测量值。本发明实施例基于非线性回归方法迭代求解待测参数，能够避免整体跳过参数最优解，提高待测参数的测量准确度。

本文源自：金融界

作者：情报员