金融界2024年12月3日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器”的专利，公开号 CN 119053153 A，申请日期为 2023 年 5 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：有源区、以及位于有源区表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构；其中，第二栅极结构的形状为开口朝向第一栅极结构的弧形，第三栅极结构的形状为开口朝向第四栅极结构的弧形。

本文源自：金融界

作者：情报员