金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种外延片及其制备方法和应用”的专利，公开号CN 119061470 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上生长复合层，其中，所述复合层包括多个层叠设置的缓冲层，所述缓冲层包括层叠设置的第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第一子缓冲层通过通入第一前驱体形成，所述第二子缓冲层通过通入第二前驱体和第三前驱体形成，所述第一前驱体的通入流量 f1 大于所述第二前驱体的通入流量 f2；(2)在所述复合层上生长粗化层；(3)在所述粗化层上生长外延层。本发明通过优化缓冲层的制备工艺，形成了稳定性好、相位一致且均匀分布的复合层，提高了缓冲层的成核均匀性，获得了表面光滑的高质量外延层，实现了高质量的超薄外延层的生长，有效降低了成本。

本文源自：金融界

作者：情报员