来源：科技新报

韩国警方 12月3 日表示，一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国成都高真科技（CHJS）泄漏 20 奈米 DRAM 存储器芯片技术，遭逮捕并移送检方。

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韩联社报导，首尔警察厅产业技术安全侦查队今天指出，64岁三星电子（Samsung Electronics）前工程师因涉嫌违反「职业安定法」被捕，并移送首尔中央地方检察厅。

该男曾以顾问身分参与创立成都高真公司，同时期还在韩国成立猎头公司，以至少两三倍的优渥薪资挖角三星核心技术人才，协助中国「复刻」动态随机存取存储器（DRAM）工厂，并2022年4月成功生产半导体晶圆。

这座DRAM工厂从完工到投产仅费时一年三个月。一般来说，晶圆从测试到量产通常需要四至五年。

韩国警方提到，外流技术的经济价值高达4兆3,000亿韩圜，若考虑相关经济效益，实际损失规模更加庞大。

除了这名前工程师，还有以相同手法挖角韩国半导体人才的两位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已替成都高真挖角逾30名技术人员。

尽管韩国国家关键技术外流，警方只能根据刑责较轻的「职业安定法」、而非「产业技术保护法」来逮捕涉案嫌犯。

警方解释，根据现行法规，以「挖角」方式外流技术的行为不属于「产业技术保护法」规定的惩处范围，因此有必要修法相关法律，以严惩商业间谍。

包括前三星工程师，成都高真技术外泄案共21人遭移送法办。

成都高真创办人、三星电子前常务兼SK海力士（SK Hynix）前副社长崔珍奭等人已被捕，涉嫌违反「产业技术保护法」及「防止不正当竞争及商业祕密护法」。

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