金融界2024年12月4日消息,国家知识产权局信息显示,深圳深爱半导体股份有限公司取得一项名为“功率器件封装结构”的专利,授权公告号 CN 222088591 U,申请日期为 2024 年 2 月。

专利摘要显示,本申请涉及功率器件封装结构,一种功率器件封装结构包括:框架,用于与外部电源电连接,多个间隔排布的功率器件,每一功率器件包括栅极、源极和漏极,每一功率器件的漏极均与框架电连接,多个间隔排布的第一管脚,每一功率器件的栅极均与一个第一管脚一一对应地电连接,多个间隔排布的第二管脚,每个功率器件的源极均与一个第二管脚一一对应地电连接。纵上所述,相较传统的功率器件并联接入电路方式,上述功率器件封装结构接入电路后,电路焊点数目较小,电路故障率低。

本文源自:金融界

作者:情报员