金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，瑞能半导体科技股份有限公司申请一项名为“集成场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN 119069473 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种集成场效应晶体管及其制造方法，集成场效应晶体管包括外延层和本体层，本体层由外延层的第一表面延伸至外延层内，本体层包括本体结构区及设于本体结构区内的第二导电结构区、两个第一导电结构区和至少一个与外延层相连接的延伸结构区，两个第一导电结构区沿第一方向设于第二导电结构区的两侧，第二导电结构区环绕延伸结构区周侧设置，外延层的第一表面设置有肖特基接触层，肖特基接触层的至少部分覆盖于延伸结构区。本申请的集成场效应晶体管及其制造方法，能够平衡场效应晶体管器件的反偏导通压降和芯片成本，以符合电子器件的实际使用需求。

本文源自：金融界

作者：情报员