金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“电容器及其形成方法”的专利，公开号 CN 119069452 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种电容器及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成包括有源区的基底以及位于有源区上的若干分立的有源部；在所述有源部侧壁表面和基底表面形成第一绝缘层；在各所述有源部两侧侧壁形成第一极板，所述第一极板位于第一绝缘层表面，所述第一极板暴露出所述有源部的顶部表面；在所述第一极板表面形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层表面形成第二极板，所述第二极板顶部表面高于所述有源部顶部表面。所述电容器及其形成方法减小了电容极板需要的工作面积，进一步减小了芯片面积。

本文源自：金融界

作者：情报员