钙钛矿纳米晶(LH PNCs)荧光微阵列在Micro LED、信息存储及荧光防伪等领域具有巨大应用潜力。其中,光刻技术具有精度高、功能化强以及集成度高等优势,是制备LH PNCs微阵列核心技术之一。在传统光刻制备过程中主要采用液相显影,由于LH PNCs的本征离子盐特性,显影过程中易受显影剂等影响,导致其稳定性较差,且整个制备过程较为繁琐。
鉴于此,闽师大李飞明、桂林理工大学黄艺鹏等人基于MAPbBr 3 PNCs较低的生成能,先通过UVC驱动六溴十二烷脱溴,原位制备PbBr 2 阵列;随后,通过甲胺进行熏蒸气体显影,即可制得MAPbBr 3 PNCs荧光阵列(图1、2),最小尺寸可达2 μm。此外,相较于传统溶剂显影膜外制备工艺,该工作中气体显影策略MAPbBr 3 PNCs微阵列为膜内生长,因此其光、热、水等环境下均具有较好的稳定性,即使在水中浸泡 60 天,仍能保持 90% 的光学性能,为后续的应用奠定了良好的基础。
图1 基于气体显影介导光刻技术制备图案化MAPbBr 3 PNCs机理图
图2. 基于气体显影光刻法所制备的MAPbBr 3 PNCs图案化微阵列
得益于MAPbBr3 PNCs图案化微阵列所具有良好的稳定性以及超高的荧光编码容量,所制备的膜可直接应用于宏-微荧光编码,结合当前快速发展的手机微距摄像技术(例如Mate 60Pro),通过手机平台即可对编码信息进行快速读取,无需专业荧光显微镜,因此该技术有望成为微纳荧光防伪技术的一个重要手段。该工作可以进一步扩展到无铅和核壳PQDs图案化微阵列,在micro-LED、传感、激光显示等领域亦有广阔的应用前景。
图3. 基于气态显影策略制备的MAPbBr 3 PNCs图案化微阵列荧光防伪机制
Gas-Developing-Guided In Situ Photolithography of MAPbBr3 Perovskite Nanocrystal Micropatterns
Y. Lin, Y. Zhou, Y. Huang, S. Cai, Z. Cai and F. Li
ACS Photonics 2024
DOI: 10.1021/acsphotonics.4c01513
https://doi.org/10.1021/acsphotonics.4c01513
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