金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，武汉优炜芯科技有限公司申请一项名为“一种耐盐雾的紫外LED器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119092619 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种耐盐雾的紫外 LED 器件及其制备方法，包括封装支架和发光单元，封装支架包括凹槽，发光单元位于凹槽内，其中，紫外 LED 器件还包括原子沉积层，至少一部分原子沉积层完全覆盖发光单元；本发明提供的紫外 LED 器件通过将至少一部分原子沉积层完全覆盖发光单元，上述原子沉积层在紫外线照射下也不会出现裂化脱层等问题，可以有效阻隔盐雾侵入发光单元内部，从而避免盐雾进入发光单元后发生漏电短路等异常，进而提高了紫外 LED 器件的生产良率。

本文源自：金融界

作者：情报员