金融界 2024 年 12 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，纳维达斯半导体有限公司申请一项名为“GAN 功率级中的栅极过驱动的电路和方法”的专利，公开号 CN 119093926 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本公开涉及 GAN 功率级中的栅极过驱动的电路和方法。公开了一种电路。该电路包括：氮化镓(GaN)开关，该氮化镓(GaN)开关具有栅极端子、漏极端子和源极端子；驱动器电路，该驱动器电路具有耦合到该栅极端子的输出端子，其中该驱动器电路被布置为在该输出端子处生成输出电压，使得：当该漏极端子处的电压低于预先确定的电压时，该输出电压处于第一电压；当 1) 该漏极端子处的该电压高于该预先确定的电压并且 2) 该输出电压处于第二电压的时间段小于预先确定的时间时，该输出电压处于该第二电压。在一个方面，该第二电压大于该第一电压。

本文源自：金融界

作者：情报员