金融界 2024 年 12 月 12 日消息,国家知识产权局信息显示,无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种 LED 结构及其制备方法”的专利,公开号 CN 119108476 A,申请日期为 2023 年 6 月。

专利摘要显示,本公开提供了一种 LED 结构及其制备方法,LED 结构包括,LED 发光单元,包括层叠设置的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层,以及围绕 LED 发光单元的离子注入区,离子注入区的材料包括 LED 发光单元的材料、钝化离子以及应力调控离子;通过注入钝化离子对 LED 发光单元进行隔离,避免了刻蚀工艺造成的侧壁刻蚀损伤,降低 LED 发光单元效率,通过注入应力调控离子增大离子注入区材料的晶格常数,使得离子注入区可以向 LED 发光单元的侧壁施加压应力,通过施加压应力来调节 LED 结构的波长,进而改善 LED 结构的波长均匀性。

本文源自:金融界

作者:情报员