金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市乾野微纳科技有限公司申请一项名为“用于电动汽车的MOSFET电学参数自适应调节系统及方法”的专利，公开号 CN 119109292 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了用于电动汽车的MOSFET电学参数自适应调节系统及方法，涉及电学参数自适应调节技术领域。该用于电动汽车的MOSFET电学参数自适应调节系统，包括：参数获取模块；参数调整值获取模块；控制执行模块；MOSFET模块。本发明通过在预设时间段内实时获取待调节电动汽车的关键电学参数以及MOSFET电学参数以获取电学调整评估指标，然后对待调节电动汽车的驱动电路执行动态调节，最后基于栅源极电压判断是否对栅源极电压进行调整直至电学调整值等于0，进而实现了MOSFET电学参数的更精准调节，解决了现有技术中MOSFET电学参数与关键电学参数之间的关联性利用不充分的问题。

本文源自：金融界

作者：情报员