金融界 2024 年 12 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，英利能源发展（保定）有限公司申请一项名为“硅片表面高方阻扩散方法、TOPCON 电池及其制备方法”的专利，公开号 CN 119132932 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种硅片表面高方阻扩散方法、TOPCON 电池及其制备方法，属于太阳能电池制作技术领域，包括：将需要 B 扩散的硅片放入密闭炉管内，并升温至预设反应温度；在炉管内通入氧气和 BCl3，并逐步以梯度分布的浓度使 B 扩散到硅片中；吹扫反应气体并升温，恒温准备后续氧化；氧化阶段，在炉管内通入氧气，与硅片表面发生反应生成氧化硅，以将硅片表面富裕的 B 原子吸出，得到高方阻值硅片；炉管内压力恢复常压，降温，将高方阻值硅片从炉管内取出。通过本发明的扩散方法可以将硅片做到 300 Ω 以上的高方阻，后续配合 LECO 技术，不会影响电池的接触效果，既具有高方阻带来的低表面浓度的钝化效果提升，也能够节省扩散 SE 设备的投入进而降低成本。

本文源自：金融界

作者：情报员