金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，中电科芯片技术（集团）有限公司申请一项名为“一种无线键合压电TOF传感器制作方法”的专利，公开号 CN 119143075 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明属于传感器领域，具体涉及一种无线键合压电TOF传感器制作方法，包括：在硅基片底部刻蚀一个圆形小孔；在具有圆形小孔的硅基片的正面刻蚀一个圆形空腔，且圆形空腔的圆心与圆形小孔的圆心同轴；采用硅‑硅键合方式在圆形空腔后键合覆盖一个硅片；对新键合后的硅片进行减薄抛光处理；在减薄抛光后的硅片上依次生长第钼层压电层以及第二钼层在硅片上设置图形在设置图形上引出压电层的上电极和下电极，并在下电极上生长金球；搭建ASIC电路，将ASIC电路通过金球与压电层的上电极和下电极连接，形成无线键合压电TOF传感器；本发明解决了现有锡封等技术可靠性差的问题。

本文源自：金融界

作者：情报员